Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий...

Main
Лабораторный практикум по дисциплинам...

Лабораторный практикум по дисциплинам «Технология изделий интегральной электроники», «Специальное технологическое оборудование» для студентов специальностей «Проектирование и производство РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии». Ч. 2

Емельянов, В. А.

0 / 0

Наскільки Вам сподобалась ця книга?

Яка якість завантаженого файлу?

Скачайте книгу, щоб оцінити її якість

Яка якість скачаних файлів?

Видавництво:

БГУИР

Мова:

russian

Сторінки:

60

Файл:

PDF, 1.83 MB

IPFS:

,

russian0

Читати Онлайн

Виконується конвертація в

Конвертація в не вдалась

Можливо вас зацікавить

Бабушкина Л. Г. — Конструирование и технология производства микросхем

Кувшинов, А. М. — Основы микро- и наноэлектроники. Конструкция и технология микросхем

Мазель Е. — Планарная технология кремниевых приборов

Курносов А. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Н. В. Жданова — Микроэлектроника: учебное пособие. Специальность 210100.62 – Электроника и наноэлектроника

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. — Технология производства полупроводниковых приборов

Романовский Е.А., Коваль А.Г., Мельничук И.А., Борисов А.Г., Бажин А.И., Рыжов В.Н., Дробнич В.Г., Медведев С.Ю., Поп С.С., Есаулов В.А., Петухов В.П., Мирахмедов М.Н., Шароди И.С., Бандурин Ю.А., Белых Л.С., Дащенко А.И., Грицына В.В. И др. — Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы XII международной конференции 5-8 октября 1995 г. Том 2

О. В. Семенова. — Проектирование и технология электронной компонентной базы. Конструирование и технология интегральных схем

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. — Технология интегральной электроники

Ануфриев Л.П., Бордусов С.В. и др. — Технология интегральной электроники

Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. — Производство полупроводниковых приборов

Романовский М.Н. — Интегральные устройства радиоэлектроники. Часть 1. Основные структуры полупроводниковых интегральных схем

Зятьков И.И., Юрченко Е.П. — Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

— Процессы микро - и нанотехнологии

Нашельский А.Я. — Технология полупроводниковых материалов

Удовиченко С.Ю. — Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро - и наноэлектроники. Часть 3-я

Знаменская Т.Д. — Лекции по конструкторско-технологическому обеспечению

Джафаров Т.Д. — Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах

Данилина Т.И., Смирнова К.И. и др. — Процессы Микро и Нанотехнологии

Захарова И.Б. — Физические основы микро - и нанотехнологий

Скоробогатова Л.А., Зубрицкий С.М., Петров А.Л., Семёнов А.Л. — Технологии материалов для микро - и наноэлектроники

Рыжиков И.В. — Лекции по технологии микро-электронных устройств

Светличный А.М., Наумченко А.С. — Конспект лекций по дисциплине Лучевые и плазменные методы формирования наноструктур интегральной электроники

Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E. — Распределение железа имплантированного в кремний при действии мощного ионного пучка и лазерного излучения

Фролов К.В. (гл. ред.) — Машиностроение. Том III-8. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении

Абдуллаев Г.Б., Джафаров Т.Д. — Атомная диффузия в полупроводниковых структурах

Достанко А.П. и др. — Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро - и наноэлектроники

Жданова Наталья Владимировна — Микроэлектроника

Филяк М. М. — Конструктивно-технологические основы микроэлектроники

Сост. СП. Зимин — Методы контроля технологических процессов в электронике: Методические указания по выполнению лабораторных работ

Бургер Р., Донован Р. (ред.) — Основы технологии кремниевых ИС: Окисление, диффузия, эпитаксия

Иванов А. А. — Физико-химические основы технологии электронных средств

Смирнов В.И. — Физико-химические основы технологии электронных средств: Учебное пособие

Мокеев, Олег Константинович;Романов, Александр Сергеевич;авт — Технология полупроводникового производства

Ключові фрази

подложки

поверхности

эпитаксиального

эпитаксиальных

легирования

пластины

установки

процесса

имплантации

измерения

источника

диффузии

параметров

происходит

контроля

концентрации

результате

структуры

упаковки

вещества

дефектов

производится

процессе

сопротивления

температуре

используется

получения

скорости

температуры